在芯片的生产的全部过程之中，光刻机的重要性不言而喻，是其最核心的设备，而光刻机的精度决定着芯片的精度。

  众所周知，荷兰的阿斯麦是唯一有能力生产出最先进EUV光刻机的厂商，即便是全球最大的芯片代工厂台积电，也都是阿斯麦的客户。假如没有阿斯麦的EUV光刻机，那么台积电全球第一的位置有很大的可能性就会被取代。

  不过受到《瓦森纳协定》影响，中国从来就没真正的买进过一台EUV光刻机，在去年的11月份世博会上，阿斯麦方面展示了自己的DUV光刻机。而这种duv光刻机是能够生产出七纳米芯片的，中国则可以从阿斯麦去购买，并且不受到美国的制约。

  也就是说阿斯麦的DUV光刻机是能够销往中国的，而这种DUV光刻机是能制造出7纳米芯片的，可是为什么大家还要抢着买EUV光刻机呢？在这样的情况下，EUV光刻机还是必须的吗？

  关于这一点，有两个重要的原因。首先来讲DUV与EUV所使用的准分子激光术不同，所以就会造成精度不同。芯片制作的完整过程之中EUV光刻机采用的是极紫外光源，波长是13.5纳米，光束功率更加强劲度也更高，7纳米芯片轻轻松松就能制造出来，即便是5纳米和更先进的3纳米也都能制造出来，可DUV不一样，duv采用的是准分子深紫外光源干时光刻技术,最高可以在一定程度上完成157纳米的波长，沉浸式光刻机技术可以在一定程度上完成193纳米，134纳米的波长。

  如此以来，双方出现的差距还是很明显的。再加上在曝光的过程之中波长更长的DUV，更多光束散射影响了精度的效率，所以虽然可以在一定程度上完成7纳米但是其良频率以及效果并不如意。

  再来就是光刻机的波长，决定着光刻技术的分辨率课套壳精度，波长短频率高的光束透镜补偿更直接，所以良品率会更加高，而精度的上限也会更加高，EUV光刻机可以在一定程度上完成7纳米，5纳米甚至是3纳米，可DUV在多次曝光之后仅仅只可以在一定程度上完成7纳米。

  而在7纳米之后就没有很好的方法再提高精度，要知道，多次曝光只会使得制造芯片的成本变得更高，所以DUV光刻机虽然能制造7纳米，但是对于国内厂商来讲，EUV依旧是必要的。

  前段时间，中芯国际发生了一件大事件，网传梁孟松辞职，信中有提到过，中芯已经攻克了3纳米以及5纳米等关键技术，现在只等EUV光刻机。一旦EUV光刻机到位，那么这些芯片就能完成量产。

  2018年，中芯国际曾经向阿斯麦购买过一台EUV光刻机，荷兰政府也给阿斯麦发出了许可。可就在这样一个时间段，美国向荷兰政府施加压力，再加上阿斯麦方面也出现了一些意外，所以导致最终这台EUV光刻机依旧没有到位。

  不过，在蒋尚义上任之后，关于阿斯麦EUV光刻机的好消息再次传来，有消息称，蒋尚义来到阿斯麦与其进行协商，希望可以将此次的EUV光刻机带回国内。不过至于究竟结果如何还是一个未知数。